为弘扬科学家精神，吉林科普微窗推出探索吉林特别栏目《院士在吉林》，为您讲述曾在吉林学习、工作过的两院院士故事，展现两院院士与这片白山黑水的深厚情缘。本期为您介绍高鼎三院士。

高鼎三（1914-2002）

上海人，祖籍江苏宜兴，1995年当选为中国工程院院士。半导体与光电子学专家、教育家。

中国半导体事业开拓者之一，吉林大学半导体系创建者。1941年毕业于西南联合大学，1953年获美国加利福尼亚大学硕士学位。曾任吉林大学半导体系系主任，吉林大学电子工程系名誉系主任，“集成光电子学国家重点实验室”学术委员会主任。

| 青年留学时代的高鼎三

2002年6月13日病逝于长春。

高鼎三是中国半导体事业开拓者之一，在研究开发晶体成就管、半导体激光器、电子半导体器件和帮助吉林省发展电子工业等方面都做出了贡献。1959年他主持建立了全国第一个半导体系，成功研制了我国首个锗功率器件，并组建了吉林大学“集成光电子国家重点实验室”，为我国光电器件和半导体激光器发展倾注了毕生精力，并培养了一大批专业人才。曾获1978年全国科学大会奖，电子部科技成果一等奖，国家发明三等奖，国家教委科技进步二、三等奖等多项奖励。

1955年9月，高鼎三来到东北人民大学（现吉林大学）任教，先后担任了东北人民大学物理系副教授、系副主任兼半导体研究室主任等职。

| 高鼎三和家人在一起

在学校的支持下，物理系建立了半导体实验室，以高鼎三为学术带头人的科研小组展开了对半导体的研究。相比他之前工作过的美国国际整流器公司，这里实验条件很差，但他的内心是踏实的，感觉浑身有使不完的力气。为了尽早出实验成果，他以实验室为家，带领小组成员自己动手，因陋就简，想尽办法配齐了所需的实验设备。当时国内尚未研制出来实验中最关键的原材料锗单晶体，为了实验，高鼎三毫不犹豫地无偿捐献出了他从美国带回来的极其贵重的错单晶片。仅仅用了五个星期，1956年3月25日下午，高鼎三团队研制成功我国第一个错大功率整流器，这是我国第一个用锗材料制造成的功率器件，成为我国现代半导体器件研究的开端。《人民日报》《光明日报》以及科学出版社为庆祝建国十周年出版的《十年来的中国科学》，都对此做了详细的报道，给予了很高的评价。

| 国内研制成功的第一个锗大功率整流器

此后，高鼎三团队又在国内首次研制成锗点接触二极管、三极管，解决了国家急需。这些研究成果均达到了当时世界先进水平。从此，半导体器件材料的研制在全国范围内蓬勃展开。1958—1959年，,在他的指导下，吉林大学半导体系研制出了开国内先河的锗光电二极管。此外，还研制成功了半导体热敏电阻、氧化铜整流器、砷化镓等半导体器件和半导体材料。

| 高鼎三带领的半导体研制小组

1959年3月，吉林大学正式成立半导体系，这在全国是唯一的以“半导体”冠名的系，因此素有“天下第一系”之称。高鼎三任系主任兼半导体物理教研室主任，并担任这个系的系主任达30年之久。当时的东北人民大学半导体系成为我国培养半导体专业人才最多的教学基地，从这里走出来的学生以具有较强的动手能力和踏实的工作作风著称。至此，半导体化学专业成为国家教委唯一批准吉林大学试办的特色专业。

1978年，高鼎三就在教育部召开的全国高教科学规划会议上提出，不可忽略影响21世纪人类进程的除了微电子还将有光电子学和光电子技术。在他的积极争取下，光电子学被列入规划，并使系里获得一次性奖励63万元，从而以此为契机，开辟了光电子研究这一重大课题。在1986年国务院召开的“863”计划专家座谈会上，积极建议把光电子技术列为高技术的独立项目，并承担了“863”计划中“可见光激光器”的结构设计及工艺研究和“半导体激光器热传输特性”等研究项目，取得很大成绩。1987年5月，高鼎三又积极推动并受命主持由吉林大学、清华大学及中科院半导体研究所组建的我国唯一的集成光电子学国家重点联合实验室，实验室的创建，成为我国在光电子研究领域具有划时代意义的里程碑。

| 高鼎三主持技术鉴定会